Биполярный транзистор HBA1873S5 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HBA1873S5
Маркировка: SGR
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-353
Аналоги (замена) для HBA1873S5
HBA1873S5 Datasheet (PDF)
..1. Size:260K cystek
hba1873s5.pdf
hba1873s5.pdf
Spec. No. : C306S5 Issued Date : 2011.11.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBA1873S5 Features Two BTA1037 chips in a SOT-353 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Mounting cost and area can be cut in half. Complementary to HBC4944S5.
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050