HBA1873S5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBA1873S5

Маркировка: SGR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-353

 Аналоги (замена) для HBA1873S5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBA1873S5 даташит

 ..1. Size:260K  cystek
 hba1873s5.pdf pdf_icon

HBA1873S5

Spec. No. C306S5 Issued Date 2011.11.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBA1873S5 Features Two BTA1037 chips in a SOT-353 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Mounting cost and area can be cut in half. Complementary to HBC4944S5.

Другие транзисторы: BU941ZLE3, BU941ZP3, D44H11E3, D44H11J3, D45H11E3, D45H11J3, DTA144WS3, FBP5096G3, TIP127, HBA8573S6R, HBC8471S6R, HBC8472S6R, HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R, HBN2515S6R