HBC8471S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBC8471S6R

Маркировка: CH

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBC8471S6R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBC8471S6R даташит

 ..1. Size:250K  cystek
 hbc8471s6r.pdf pdf_icon

HBC8471S6R

Spec. No. C202S6R Issued Date 2010.03.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.22 Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBC8471S6R Features Two BTC2412 chips in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

 8.1. Size:38K  hsmc
 hbc847.pdf pdf_icon

HBC8471S6R

Spec. No. HE6827 HI-SINCERITY Issued Date 1993.11.28 Revised Date 2004.09.01 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBC847 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HBC847 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature.

 8.2. Size:251K  cystek
 hbc8472s6r.pdf pdf_icon

HBC8471S6R

Spec. No. C202S6R Issued Date 2010.03.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.22 Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBC8472S6R Features Two BTC2412 chips in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

 9.1. Size:66K  hsmc
 hbc848.pdf pdf_icon

HBC8471S6R

Spec. No. HE6843 HI-SINCERITY Issued Date 1994.07.29 Revised Date 2008.01.30 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HBC848 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HBC848 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: D44H11E3, D44H11J3, D45H11E3, D45H11J3, DTA144WS3, FBP5096G3, HBA1873S5, HBA8573S6R, 2SD2499, HBC8472S6R, HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R, HBN2515S6R, HBN3101S6R, HBNP45C6