Справочник транзисторов. HBC8472S6R

 

Биполярный транзистор HBC8472S6R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBC8472S6R
   Маркировка: CK
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT-363R
 

 Аналог (замена) для HBC8472S6R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBC8472S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  cystek
hbc8472s6r.pdfpdf_icon

HBC8472S6R

Spec. No. : C202S6R Issued Date : 2010.03.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBC8472S6R Features Two BTC2412 chips in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

 8.1. Size:38K  hsmc
hbc847.pdfpdf_icon

HBC8472S6R

Spec. No. : HE6827HI-SINCERITYIssued Date : 1993.11.28Revised Date : 2004.09.01MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBC847NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HBC847 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable forautomatic insertion in thick and thin-film circuits.SOT-23Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature.

 8.2. Size:250K  cystek
hbc8471s6r.pdfpdf_icon

HBC8472S6R

Spec. No. : C202S6R Issued Date : 2010.03.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBC8471S6R Features Two BTC2412 chips in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

 9.1. Size:66K  hsmc
hbc848.pdfpdf_icon

HBC8472S6R

Spec. No. : HE6843 HI-SINCERITY Issued Date : 1994.07.29 Revised Date : 2008.01.30 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HBC848 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HBC848 is designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storag

Другие транзисторы... D44H11J3 , D45H11E3 , D45H11J3 , DTA144WS3 , FBP5096G3 , HBA1873S5 , HBA8573S6R , HBC8471S6R , 2SC2625 , HBN2411S6R , HBN2412C6 , HBN2412S6R , HBN2444S6R , HBN2515S6R , HBN3101S6R , HBNP45C6 , HBNP45S6R .

History: BDB01B | KRA740U | HEPS0009

 

 
Back to Top

 


 
.