HBNP45C6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBNP45C6

Маркировка: 45

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7(6) V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80(60) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2(4) pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-563

 Аналоги (замена) для HBNP45C6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBNP45C6 даташит

 ..1. Size:276K  cystek
 hbnp45c6.pdf pdf_icon

HBNP45C6

Spec. No. C901C6 Issued Date 2012.09.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP45C6 Features Includes a BTC2412 chip and a BTA1037 chip in a SOT-563 package. Mounting possible with SOT-523 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

 8.1. Size:272K  cystek
 hbnp45s6r.pdf pdf_icon

HBNP45C6

Spec. No. C901S6R Issued Date 2004.04.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/7 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP45S6R Features Includes a BTC2412 chip and a BTA1037 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independe

Другие транзисторы: HBC8471S6R, HBC8472S6R, HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R, HBN2515S6R, HBN3101S6R, A1013, HBNP45S6R, HBNP54S6R, HBNP1268Q8, HBNP2227S6R, HBNP3946S6R, HBNP5213G6, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R