Биполярный транзистор HBNP2227S6R Даташит. Аналоги
Наименование производителя: HBNP2227S6R
Маркировка: 27
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75(60) V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40(60) V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6(5) V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(200) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-363R
Аналог (замена) для HBNP2227S6R
HBNP2227S6R Datasheet (PDF)
hbnp2227s6r.pdf

Spec. No. : C903S6R Issued Date : 2003.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/7 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP2227S6R Features Includes a PN2222A chip and PN2907A chip in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independ
Другие транзисторы... HBN2412S6R , HBN2444S6R , HBN2515S6R , HBN3101S6R , HBNP45C6 , HBNP45S6R , HBNP54S6R , HBNP1268Q8 , 2SD669A , HBNP3946S6R , HBNP5213G6 , HBNPZ1NS6R , HBP1036S6R , HBP1037C6 , HBP1037S5 , HBP1037S6R , HBP2907S6R .
History: BCY78BP | 2SD965T | 2STR1215 | HSE110 | BUV18X | 2SA1386O | 2N5924
History: BCY78BP | 2SD965T | 2STR1215 | HSE110 | BUV18X | 2SA1386O | 2N5924



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400