Справочник транзисторов. HBNP2227S6R

 

Биполярный транзистор HBNP2227S6R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HBNP2227S6R
   Маркировка: 27
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75(60) V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40(60) V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6(5) V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(200) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBNP2227S6R

 

 

HBNP2227S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  cystek
hbnp2227s6r.pdf

HBNP2227S6R
HBNP2227S6R

Spec. No. : C903S6R Issued Date : 2003.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/7 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP2227S6R Features Includes a PN2222A chip and PN2907A chip in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top