HBNP2227S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBNP2227S6R

Маркировка: 27

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75(60) V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40(60) V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6(5) V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(200) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363R

 Аналоги (замена) для HBNP2227S6R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBNP2227S6R даташит

 ..1. Size:282K  cystek
 hbnp2227s6r.pdf pdf_icon

HBNP2227S6R

Spec. No. C903S6R Issued Date 2003.03.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.22 Page No. 1/7 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP2227S6R Features Includes a PN2222A chip and PN2907A chip in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independ

Другие транзисторы: HBN2412S6R, HBN2444S6R, HBN2515S6R, HBN3101S6R, HBNP45C6, HBNP45S6R, HBNP54S6R, HBNP1268Q8, D880, HBNP3946S6R, HBNP5213G6, HBNPZ1NS6R, HBP1036S6R, HBP1037C6, HBP1037S5, HBP1037S6R, HBP2907S6R