Справочник транзисторов. PZT5551L3

 

Биполярный транзистор PZT5551L3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PZT5551L3
   Маркировка: G1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-223
 

 Аналог (замена) для PZT5551L3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT5551L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  cystek
 pzt5551l3.pdf pdf_icon

PZT5551L3

Spec. No. : C208L3 Issued Date : 2004.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2008.07.04 Page No. : 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor PZT5551L3Description The PZT5551L3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BT

 7.1. Size:193K  utc
 pzt5551.pdf pdf_icon

PZT5551L3

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V * High current gain ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reelwww.unisonic.com.tw 1of 4 Copyright 20

 7.2. Size:333K  wietron
 pzt5551.pdf pdf_icon

PZT5551L3

PZT5551NPN Silicon Planar Epitaxial TransistorCOLLECTOR2, 441. BASE2.COLLECTOR 3.EMITTERBASE4.COLLECTOR 11 233SOT-223EMITTERABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C)SymbolRating Value UnitVCollector-Emitter Voltage CEO V160VCBOCollector-Base Voltage 180 VVEBOEmitter-Base Voltage 6 VICCollector Current (DC) 600 mAPDTotal Device Disspation 1.5 W

 9.1. Size:1603K  secos
 pzt559a.pdf pdf_icon

PZT5551L3

PZT559A PNP Silicon Silicon Planar Medium Power Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-223 The PZT559A is designed for general purpose switching and amplifier applications. FEATURES 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current. Excellent gain characteristic specified up to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... HBP1036S6R , HBP1037C6 , HBP1037S5 , HBP1037S6R , HBP2907S6R , HQN2498QF , HQP1498QF , PZT2222AL3 , 2SC2240 , STBV32A3 , TIP31CE3 , TIP31CJ3 , TIP50I3 , TIP50J3 , 2SC5858 , 2SC6118LS , MJW18020G .

 

 
Back to Top

 


 
.