Справочник транзисторов. NE68000

 

Биполярный транзистор NE68000 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NE68000
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: CHIP
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NE68000 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:247K  nec
 ne680xx 2sc5013 2sc5008 2sc4228 2sc3585 2sc3587 2sc4095.pdf pdf_icon

NE68000

NEC's NPN SILICON HIGH NE680FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE:1.7 dB at 2 GHz2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:12.5 dB at 2 GHz8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE00 (CHIP) 35 (MICRO-X)LOW CURRENT PERFORMANCEDESCRIPTIONNEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors isdesigned for l

 9.2. Size:625K  nec
 ne680series.pdf pdf_icon

NE68000

NEC's NPN SILICON HIGH NE680FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE: 1.7 dB at 2 GHz 2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.5 dB at 2 GHz 8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE00 (CHIP) 35 (MICRO-X) LOW CURRENT PERFORMANCEDESCRIPTIONNEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is de-sig

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: KT504V | 2SC941 | MMBT2907Q | DRC3A43Z | BFP519VI | CXTA64

 

 
Back to Top

 


 
.