2N6439. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N6439
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO129
Аналоги (замена) для 2N6439
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N6439 даташит
2n6439.pdf
Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N6439/D The RF Line NPN Silicon 2N6439 RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large signal output amplifier stages in the 225 to 400 MHz frequency range. Guaranteed Performance in 225 to 400 MHz Broadband Amplifier @ 28 Vdc Output Power = 60 Watts over 225 to 400 MHz Band 60 W, 225 to 400 MHz Minimum Gain
2n6439re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N6439/D The RF Line NPN Silicon 2N6439 RF Power Transistor . . . designed primarily for wideband large signal output amplifier stages in the 225 to 400 MHz frequency range. Guaranteed Performance in 225 to 400 MHz Broadband Amplifier @ 28 Vdc Output Power = 60 Watts over 225 to 400 MHz Band 60 W, 225 to 400 MHz Min
2n6436 2n6437 2n6438.pdf
Order this document MOTOROLA by 2N6436/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N6436 High-Power PNP Silicon 2N6437 Transistors 2N6438 * . . . designed for use in industrial military power amplifier and switching circuit *Motorola Preferred Device applications. High Collector Emitter Sustaining Voltage 25 AMPERE VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) 2N6436 POWER TRANSISTORS VCEO(sus)
Другие транзисторы: 2N6432, 2N6433, 2N6436, 2N6436A, 2N6437, 2N6437A, 2N6438, 2N6438A, 2N3906, 2N644, 2N6441, 2N6442, 2N6443, 2N6444, 2N6445, 2N6446, 2N6447
History: 2N6464 | 2N6715
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087







