2SD5703. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD5703

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5.3

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2SD5703

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD5703 даташит

 ..1. Size:188K  inchange semiconductor
2sd5703.pdfpdf_icon

2SD5703

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5703 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 8.1. Size:217K  inchange semiconductor
2sd570.pdfpdf_icon

2SD5703

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD570 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage V = 0.6V(Max.)@I = 2A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.2. Size:189K  inchange semiconductor
2sd5702.pdfpdf_icon

2SD5703

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5702 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of colour TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.1. Size:169K  nec
2sd571.pdfpdf_icon

2SD5703

Другие транзисторы: NE68030, NE68033, NE68035, NE68039, 2SC5618, 2SC5253, 2SC5855A, H1061, BD333, H945R, H945Q, H945P, H945K, H945, KT925A, KT925B, KT925V