NE685M13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NE685M13

Маркировка: Y1_Y2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: M13

 Аналоги (замена) для NE685M13

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NE685M13 даташит

 ..1. Size:157K  nec
 ne685m13.pdf pdf_icon

NE685M13

NEC's NPN SILICON TRANSISTOR NE685M13 OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) FEATURES PACKAGE OUTLINE M13 NEW MINIATURE M13 PACKAGE Small transistor outline 1.0 X 0.5 X 0.5 mm 0.7 0.05 (Bottom View) Low profile / 0.50 mm package height 0.5+0.1 0.05 0.3 Flat lead style for better RF performance HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT fT = 12 GHz 2 LOW NOISE FIGU

 8.1. Size:359K  nec
 ne685m33.pdf pdf_icon

NE685M13

DATA SHEET NEC's NPN SILICON TRANSISTOR NE685M33 FEATURES LOW NOISE NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz INSERTION POWER GAIN S21e 2 = 11 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz 3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33) PACKAGE ORDERING INFORMATION PART NUMBER QUANTITY SUPPLYING FORM NE685M33-A 50 pcs (Non reel) 8 mm wide embossed taping NE685M33-T3

 8.2. Size:18K  nec
 2sc5652 ne685m23.pdf pdf_icon

NE685M13

PRELIMINARY DATA SHEET NPN SILICON TRANSISTOR NE685M23 OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) FEATURES PACKAGE OUTLINE M23 NEW MINIATURE M23 PACKAGE World's smallest transistor package footprint leads are completely underneath package body 0.5 Low profile/0.55 mm package height Ceramic substrate for better RF performance 0.25 1 HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT fT =

 8.3. Size:205K  nec
 ne685m03.pdf pdf_icon

NE685M13

NPN SILICON TRANSISTOR NE685M03 OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) FEATURES PACKAGE OUTLINE M03 NEW M03 PACKAGE 1.2 0.05 Smallest transistor outline package available Low profile/0.59 mm package height 0.8 0.1 Flat lead style for better RF performance HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT 2 fT = 12 GHz 1.4 0.1 0.45 LOW NOISE FIGURE (0.9) 0.3 0.1 NF = 1.5 dB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1651C, 2SC945R, 2SC945O, 2SC945Y, 2SC945P, C8050B, C8050C, C8050D, 8050, S8050MB, S8050MC, S8050MD, NJW0281G, NJW0302G, 2SC5614, 2SC5800, 2SD2195