Биполярный транзистор NE685M13 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NE685M13
Маркировка: Y1_Y2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: M13
NE685M13 Datasheet (PDF)
ne685m13.pdf
NEC's NPN SILICON TRANSISTORNE685M13OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)FEATURESPACKAGE OUTLINE M13 NEW MINIATURE M13 PACKAGE: Small transistor outline 1.0 X 0.5 X 0.5 mm0.70.05(Bottom View) Low profile / 0.50 mm package height0.5+0.1 0.050.3 Flat lead style for better RF performance HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:fT = 12 GHz2 LOW NOISE FIGU
ne685m33.pdf
DATA SHEETNEC's NPN SILICON TRANSISTOR NE685M33FEATURES LOW NOISE: NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz INSERTION POWER GAIN: |S21e|2 = 11 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz 3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33) PACKAGEORDERING INFORMATIONPART NUMBER QUANTITY SUPPLYING FORMNE685M33-A 50 pcs (Non reel) 8 mm wide embossed tapingNE685M33-T3
2sc5652 ne685m23.pdf
PRELIMINARY DATA SHEETNPN SILICON TRANSISTOR NE685M23OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)FEATURESPACKAGE OUTLINE M23 NEW MINIATURE M23 PACKAGE: World's smallest transistor package footprint leads are completely underneath package body0.5 Low profile/0.55 mm package height Ceramic substrate for better RF performance0.251 HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:fT =
ne685m03.pdf
NPN SILICON TRANSISTOR NE685M03OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)FEATURESPACKAGE OUTLINE M03 NEW M03 PACKAGE:1.20.05 Smallest transistor outline package available Low profile/0.59 mm package height0.80.1 Flat lead style for better RF performance HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:2fT = 12 GHz1.4 0.10.45 LOW NOISE FIGURE:(0.9) 0.30.1NF = 1.5 dB
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050