2SD1710F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD1710F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO220F
Аналоги (замена) для 2SD1710F
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD1710F даташит
2sd1710f.pdf
2SD1710F(BR3DD1710F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High voltage high speed switching. / Applications DC-DC Switching regulator applications, High voltage swit
2sd1710c.pdf
Ordering number EN7200 2SD1710C SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD1710C 500V / 7A Switching Regulator Applications Features High breakdown voltage, high reliability. Fast switching speed. Wide ASO. Adoption of MBIT process. Micaless package facilitating mounting. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25
2sd1710.pdf
Silicon Diffused Power Transistor 2SD1710 GENERAL DESCRIPTION Highvoltage,high-speed switching npn transistors in a plastic package,pimarily for use in horizontal deflection circuites of colour television receivers TO-3PML QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP MAX UNIT Collector-emitter voltage peak value VBE = 0V VCESM - 1500 V Collector-emitter voltage (open base)
2sd1710a.pdf
2SD1710A(BR3DD1710AR) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , High voltage high speed switching. / Applications Use in horizontal deflection circuites of color TV. /
Другие транзисторы: 2SC536KM, 2SC536M, 2SC5371, 2SC752TM, 2SC945M, 2SD1273AF, 2SD1273F, 2SD1710A, BD135, 2SD1899L, 2SD1936M, 2SD2159, 2SD2603, 2SD882B, 2SD882D, 2SD882I, 2SD882L
History: 2SB1118
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283




