Справочник транзисторов. MJE13009ZJ

 

Биполярный транзистор MJE13009ZJ Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJE13009ZJ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220S
 

 Аналог (замена) для MJE13009ZJ

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13009ZJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  blue-rocket-elect
mje13009zj.pdfpdf_icon

MJE13009ZJ

MJE13009ZJ(BR3DD13009ZJ) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220S NPN Silicon NPN transistor in a TO-220S Plastic Package. / Features High VCEO High IC. / Applications High frequency electronic lighting ballast applications. / Equ

 5.1. Size:449K  blue-rocket-elect
mje13009z8.pdfpdf_icon

MJE13009ZJ

MJE13009Z8(BR3DD13009Z8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic lighting ballast applications.

 5.2. Size:232K  foshan
mje13009z9.pdfpdf_icon

MJE13009ZJ

MJE13009Z9(3DD13009Z9) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 12 A C P (Ta=25) 2.0 W CP (Tc=25) 100 W CT 150 j

 5.3. Size:233K  foshan
mje13009z7.pdfpdf_icon

MJE13009ZJ

MJE13009Z7(3DD13009Z7) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 12 A C P (Ta=25) 2.0 W CP (Tc=25) 100 W CT 150 j

Другие транзисторы... KTC2022I , KTC3199M , KTC3205T , L8050 , L8050M , L8550 , L8550M , M28M , TIP41C , MMBR911 , MMBT5401T , MMBT5551T , MMBTA42T , MMBTA44N , MMBTA44T , MMBTA92T , MMBTA94T .

History: D40PU3 | BD201 | 2SD220 | 2N5845A

 

 
Back to Top

 


 
.