PBSS4140S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4140S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS4140S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4140S даташит

 ..1. Size:442K  blue-rocket-elect
pbss4140s.pdfpdf_icon

PBSS4140S

PBSS4140S(BR3DG4140SK) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High PC, low VCE(sat), high current switching. / Applications

 6.1. Size:258K  philips
pbss4140t.pdfpdf_icon

PBSS4140S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PBSS4140T 40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2005 Feb 24 Supersedes data of 2005 Feb 14 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V, 1A PBSS4140T NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilities. VCEO

 6.2. Size:259K  philips
pbss4140u.pdfpdf_icon

PBSS4140S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D102 PBSS4140U 40 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet 2001 Jul 13 Supersedes data of 2001 Mar 27 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat NPN transistor PBSS4140U FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilities. VCEO

 6.3. Size:342K  philips
pbss4140dpn.pdfpdf_icon

PBSS4140S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D302 PBSS4140DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor Product data sheet 2001 Dec 13 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor PBSS4140DPN FEATURES QUICK REFERENCE DATA 600 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEO collector-emitt

Другие транзисторы: MMBTA44N, MMBTA44T, MMBTA92T, MMBTA94T, MPSA42D, MPSA42I, MPSA92D, MPSA92I, C5198, PBSS5140S, PH2369M, S8050A, S8050M, S8050W, S8550A, S8550M, S8550W