ST2SA1213U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST2SA1213U

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для ST2SA1213U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SA1213U даташит

 ..1. Size:688K  semtech
 st2sa1213u.pdf pdf_icon

ST2SA1213U

ST 2SA1213U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for power amplifier and power switching applications The transistor is subdivided into two groups, O and Y, according to its DC current gain. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 50 V Collector Emitter Voltage -VCEO 50 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector C

 8.1. Size:564K  semtech
 st2sa1663u.pdf pdf_icon

ST2SA1213U

 8.2. Size:583K  semtech
 st2sa1012.pdf pdf_icon

ST2SA1213U

ST 2SA1012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current switching applications. The transistor is subdivided into two group, O and Y, according to its DC current gain. TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 50 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collec

 8.3. Size:625K  semtech
 st2sa1661u.pdf pdf_icon

ST2SA1213U

ST 2SA1661U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 120 V Collector Emitter Voltage -VCEO 120 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 800 mA Base Current -IB 160 mA 0.5 Ptot W Total Power Dissipation 1 1) Junction Temperature Tj 150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2002, BCX53U, BCX56U, ST13002T, ST13003, ST13003H, ST13003T, ST2SA1012, A940, ST2SA1661U, ST2SA1663U, ST2SA1666U, ST2SA1900U, ST2SA2060U, ST2SA2071U, ST2SA683, ST2SA684