Биполярный транзистор ST2SB1188U - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ST2SB1188U
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для ST2SB1188U
ST2SB1188U Datasheet (PDF)
st2sb1188u.pdf
ST 2SB1188U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium power transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 32 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current - DC -IC 2 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 3 1) A 0.5 PC W Collector Power Dissipation2 2) Junction Temper
st2sb1151t.pdf
ST 2SB1151T PNP Epitaxial Silicon Power Transistor ECBTO-126 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 60 VEmitter Base Voltage -VEBO 7 VCollector Current (DC) -IC 5 ACollector Current (PW = 10 ms) -ICP 8 ABase Current -IB 1 A OCollector Power Dissipation (a
st2sb1132u.pdf
ST 2SB1132U PNP SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 32 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current - DC -IC 1 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation2 2) Junction Temperature TJ 150 Stora
st2sb1124u.pdf
ST 2SB1124U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 VCollector Current -IC 3 A Collector Current (Pulse) -ICP 6 A 0.5 PC W Collector Power Dissipation1 1) Junction Temperature Tj 150 Storage Temperatu
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050