ST2SB596. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST2SB596

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для ST2SB596

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SB596 даташит

 ..1. Size:527K  semtech
 st2sb596.pdf pdf_icon

ST2SB596

ST 2SB596 PNP Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 80 V Collector Base Voltage -VCBO 80 V Collector Emitter Voltage -VCEO 5 V Emitter Base Voltage -VEBO 4 A Collector Current -IC 0.4 A Base Current -IB O Power Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 W O Ju

 9.1. Size:709K  semtech
 st2sb772r.pdf pdf_icon

ST2SB596

ST 2SB772R PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V -IC Collector Current 3 A O Total Power Dissipati

 9.2. Size:577K  semtech
 st2sb1386u.pdf pdf_icon

ST2SB596

ST 2SB1386U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Low frequency transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 30 V Collector Emitter Voltage -VCEO 20 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V Collector Current - DC -IC 5 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 10 0.5 PC W Collector Power Dissipation 2 2) Junction Tempera

 9.3. Size:349K  semtech
 st2sb1151t.pdf pdf_icon

ST2SB596

ST 2SB1151T PNP Epitaxial Silicon Power Transistor E C B TO-126 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 60 V Emitter Base Voltage -VEBO 7 V Collector Current (DC) -IC 5 A Collector Current (PW = 10 ms) -ICP 8 A Base Current -IB 1 A O Collector Power Dissipation (a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: ST2SA683, ST2SA684, ST2SB1124U, ST2SB1132U, ST2SB1151T, ST2SB1188U, ST2SB1386U, ST2SB1561U, 9014, ST2SB772R, ST2SB772T, ST2SB772U, ST2SB9435U, ST2SC1383, ST2SC1384, ST2SC2073U, ST2SC4073U