ST2SB772T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST2SB772T

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для ST2SB772T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SB772T даташит

 ..1. Size:668K  semtech
 st2sb772t.pdf pdf_icon

ST2SB772T

ST 2SB772T PNP Silicon Epitaxial Power Transistor These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications E C B TO-126 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current

 6.1. Size:709K  semtech
 st2sb772r.pdf pdf_icon

ST2SB772T

ST 2SB772R PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V -IC Collector Current 3 A O Total Power Dissipati

 6.2. Size:431K  semtech
 st2sb772u.pdf pdf_icon

ST2SB772T

ST 2SB772U PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A -ICP Peak Collector Curre

 9.1. Size:577K  semtech
 st2sb1386u.pdf pdf_icon

ST2SB772T

ST 2SB1386U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Low frequency transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 30 V Collector Emitter Voltage -VCEO 20 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V Collector Current - DC -IC 5 A Collector Current - Pulse 1) -ICP 10 0.5 PC W Collector Power Dissipation 2 2) Junction Tempera

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: ST2SB1124U, ST2SB1132U, ST2SB1151T, ST2SB1188U, ST2SB1386U, ST2SB1561U, ST2SB596, ST2SB772R, C3198, ST2SB772U, ST2SB9435U, ST2SC1383, ST2SC1384, ST2SC2073U, ST2SC4073U, ST2SC4375U, ST2SC4378U