ST2SC1384. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ST2SC1384
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для ST2SC1384
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ST2SC1384 даташит
st2sc1383 st2sc1384.pdf
ST 2SC1383 / 2SC1384 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For low-frequency power amplification and driver Amplification. Complementary to 2SA683 to and 2SA684. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Co
gst2sc1383.pdf
GST2SC1383 Series NPN General Purpose Transistors Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage 25V (2SC1383) amplifier and switch. 50V (2SC1384) Collector Current 1.0A Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments TO-92MOD Pin Description 1 Emitter 2 Collector 3 Base Marking Information P/N Package Rank Part Ma
st2sc4073u.pdf
ST 2SC4073U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor General purpose amplifier and high voltage application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 120 V Collector Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1 A Peak Collector Current (Single pulse, tp = 300 s) ICP 2 A 0.5 Ptot W T
st2sc4379u.pdf
ST 2SC4379U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for power amplification applications Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 50 V Collector Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 2 A Base Current IB 0.4 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation 1 1) Junction Temperature Tj 150
Другие транзисторы: ST2SB1386U, ST2SB1561U, ST2SB596, ST2SB772R, ST2SB772T, ST2SB772U, ST2SB9435U, ST2SC1383, S9013, ST2SC2073U, ST2SC4073U, ST2SC4375U, ST2SC4378U, ST2SC4379U, ST2SC4541U, ST2SC4672U, ST2SD1163A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904











