Справочник транзисторов. ST2SD1163A

 

Биполярный транзистор ST2SD1163A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ST2SD1163A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для ST2SD1163A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SD1163A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  semtech
st2sd1163a.pdfpdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1163A NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for TV horizontal deflection output applications TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit350 VCollector Base Voltage VCBO 150 VCollector Emitter Voltage VCEO 6 VEmitter Base Voltage VEBO 7 ACollector Current IC 10 ACollector Peak Current ICP 20 ACollector Surge

 8.1. Size:551K  semtech
st2sd1760u.pdfpdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1760U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Power Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 60 VCollector Emitter Voltage VCEO 45 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 3 A Collector Current - Pulse 1) ICP 4.5 PC 1 WCollector Power Dissipation Junction Temperature TJ 150 Stor

 8.2. Size:560K  semtech
st2sd1664u.pdfpdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1664U NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 32 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 1 A Collector Current - Pulse 1) ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation2 2) Junction Temperature TJ 150 Storage Te

 8.3. Size:350K  semtech
st2sd1691t.pdfpdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1691T NPN Silicon Epitaxial Power Transistor For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain. ECBTO-126 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Symbol Value UnitParameter VCBO 60 VCollector to Base Voltage VCEO 60 VCollector to Emitter

Другие транзисторы... ST2SC1384 , ST2SC2073U , ST2SC4073U , ST2SC4375U , ST2SC4378U , ST2SC4379U , ST2SC4541U , ST2SC4672U , D965 , ST2SD1664U , ST2SD1691T , ST2SD1760U , ST2SD1766U , ST2SD2150U , ST2SD2391U , ST2SD526 , ST2SD874U .

History: DTC143XKAFRA | 38388 | 2SC4470 | 2SB1021 | 2SC1059 | GI2712 | 2SB600K

 

 
Back to Top

 


 
.