ST2SD1163A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST2SD1163A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для ST2SD1163A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SD1163A даташит

 ..1. Size:476K  semtech
 st2sd1163a.pdf pdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1163A NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for TV horizontal deflection output applications TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 350 V Collector Base Voltage VCBO 150 V Collector Emitter Voltage VCEO 6 V Emitter Base Voltage VEBO 7 A Collector Current IC 10 A Collector Peak Current ICP 20 A Collector Surge

 8.1. Size:551K  semtech
 st2sd1760u.pdf pdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1760U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Power Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 60 V Collector Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current - DC IC 3 A Collector Current - Pulse 1) ICP 4.5 PC 1 W Collector Power Dissipation Junction Temperature TJ 150 Stor

 8.2. Size:560K  semtech
 st2sd1664u.pdf pdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1664U NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 32 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current - DC IC 1 A Collector Current - Pulse 1) ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation 2 2) Junction Temperature TJ 150 Storage Te

 8.3. Size:350K  semtech
 st2sd1691t.pdf pdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1691T NPN Silicon Epitaxial Power Transistor For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain. E C B TO-126 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Symbol Value Unit Parameter VCBO 60 V Collector to Base Voltage VCEO 60 V Collector to Emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: ST2SC1384, ST2SC2073U, ST2SC4073U, ST2SC4375U, ST2SC4378U, ST2SC4379U, ST2SC4541U, ST2SC4672U, NJW0281G, ST2SD1664U, ST2SD1691T, ST2SD1760U, ST2SD1766U, ST2SD2150U, ST2SD2391U, ST2SD526, ST2SD874U