Справочник транзисторов. ST2SD1163A

 

Биполярный транзистор ST2SD1163A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ST2SD1163A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SD1163A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  semtech
st2sd1163a.pdfpdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1163A NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for TV horizontal deflection output applications TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit350 VCollector Base Voltage VCBO 150 VCollector Emitter Voltage VCEO 6 VEmitter Base Voltage VEBO 7 ACollector Current IC 10 ACollector Peak Current ICP 20 ACollector Surge

 8.1. Size:551K  semtech
st2sd1760u.pdfpdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1760U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Power Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 60 VCollector Emitter Voltage VCEO 45 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 3 A Collector Current - Pulse 1) ICP 4.5 PC 1 WCollector Power Dissipation Junction Temperature TJ 150 Stor

 8.2. Size:560K  semtech
st2sd1664u.pdfpdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1664U NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 32 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 1 A Collector Current - Pulse 1) ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation2 2) Junction Temperature TJ 150 Storage Te

 8.3. Size:350K  semtech
st2sd1691t.pdfpdf_icon

ST2SD1163A

ST 2SD1691T NPN Silicon Epitaxial Power Transistor For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain. ECBTO-126 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Symbol Value UnitParameter VCBO 60 VCollector to Base Voltage VCEO 60 VCollector to Emitter

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: TH562 | DST3906DJ | 2SD1936 | RT5418 | 2SA354A | F112 | 2N2275

 

 
Back to Top

 


 
.