Справочник транзисторов. ST2SD1760U

 

Биполярный транзистор ST2SD1760U Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ST2SD1760U
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для ST2SD1760U

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST2SD1760U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  semtech
 st2sd1760u.pdf pdf_icon

ST2SD1760U

ST 2SD1760U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Power Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 60 VCollector Emitter Voltage VCEO 45 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 3 A Collector Current - Pulse 1) ICP 4.5 PC 1 WCollector Power Dissipation Junction Temperature TJ 150 Stor

 6.1. Size:531K  semtech
 st2sd1766u.pdf pdf_icon

ST2SD1760U

ST 2SD1766U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium power amplifier Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 32 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 2 APeak Collector Current (Single pulse, Pw = 20 ms) ICP 2.5 A0.5 Collector Power Dissipation PC W 2 1) Junction T

 8.1. Size:560K  semtech
 st2sd1664u.pdf pdf_icon

ST2SD1760U

ST 2SD1664U NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 32 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 1 A Collector Current - Pulse 1) ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation2 2) Junction Temperature TJ 150 Storage Te

 8.2. Size:350K  semtech
 st2sd1691t.pdf pdf_icon

ST2SD1760U

ST 2SD1691T NPN Silicon Epitaxial Power Transistor For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain. ECBTO-126 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Symbol Value UnitParameter VCBO 60 VCollector to Base Voltage VCEO 60 VCollector to Emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... ST2SC4375U , ST2SC4378U , ST2SC4379U , ST2SC4541U , ST2SC4672U , ST2SD1163A , ST2SD1664U , ST2SD1691T , 2SD669 , ST2SD1766U , ST2SD2150U , ST2SD2391U , ST2SD526 , ST2SD874U , ST2SD882HT , ST2SD882T , ST2SD882U .

History: BD806 | NKT3708

 

 
Back to Top

 


 
.