STBD139T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STBD139T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для STBD139T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STBD139T даташит

 ..1. Size:454K  semtech
 stbd135t stbd137t stbd139t.pdf pdf_icon

STBD139T

BD135T / BD137T / BD139T NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are designed as Audio Amplifier and Drivers Utilizing. E C B TO-126 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Value Parameter Symbol Unit BD135T BD137T BD139T Collector Emitter Voltage VCEO 45 60 80 V Collector Emitter Voltage ( RBE = 1 K ) VCER 45 60 100 V Collector Base Vo

 8.1. Size:367K  semtech
 stbd136t stbd138t stbd140t.pdf pdf_icon

STBD139T

BD136T / BD138T / BD140T PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR Medium power linear and switching applications E C B TO-126 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Value Parameter Symbol Unit BD136T BD138T BD140T -VCBO Collector Base Voltage 45 60 100 V -VCEO Collector Emitter Voltage 45 60 80 V -VEBO Emitter Base Voltage 5 V Collector Current -IC 1.5 A Base Cur

Другие транзисторы: ST2SD882T, ST2SD882U, ST2SD882U-P, ST8050, STBD135T, STBD136T, STBD137T, STBD138T, TIP32C, STBD140T, STBD909, STBD910, STBD911, STBD912, STBDW42, STBDW47, STH1061