Справочник транзисторов. STBD912

 

Биполярный транзистор STBD912 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: STBD912
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

STBD912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  semtech
 stbd910 stbd912.pdf pdf_icon

STBD912

ST BD910 / ST BD912 PNP Complementary Silicon Power Transistors TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Value Parameter Symbol Unit ST BD910 ST BD912 Collector Base Voltage -VCBO 80 100 VCollector Emitter Voltage -VCEO 80 100 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 15 ABase Currentt -IB 5 AOTotal Power Dissipation @ TC 25 C Ptot 9

 8.1. Size:570K  semtech
 stbd909 stbd911.pdf pdf_icon

STBD912

ST BD909 / ST BD911 NPN Complementary Silicon Power Transistors TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Value Parameter Symbol Unit ST BD909 ST BD911 Collector Base Voltage VCBO 80 100 VCollector Emitter Voltage VCEO 80 100 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 15 ABase Currentt IB 5 AOTotal Power Dissipation @ TC 25 C Ptot 90 W

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: DME20C01 | AUY29-5 | HA9531 | DTC113ZM | KTC3875S-O | FX5136 | 3DG8050A

 

 
Back to Top

 


 
.