STH1061 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

STH1061 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STH1061
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для STH1061

 

STH1061 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  semtech
 sth1061.pdf pdf_icon

STH1061

ST H1061 NPN Plastic Power Transistor Low frequency power amplifier TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 50 V Collector Base Voltage VCBO 50 V Emitter Base Voltage VEBO 4 V Collector Current IC 3 A Power Dissipation Ptot 25 W O Junction Temperature Tj 150 C O Storage Temperature Range TS -45

 9.1. Size:337K  st
 stw10nc60 sth10nc60fi.pdf pdf_icon

STH1061

STW10NC60 STH10NC60FI N-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW10NC60 600 V

 9.2. Size:243K  st
 sth10n.pdf pdf_icon

STH1061

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STH10NA50 500 V

 9.3. Size:386K  st
 sth10na50.pdf pdf_icon

STH1061

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH10NA50 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... STBD139T , STBD140T , STBD909 , STBD910 , STBD911 , STBD912 , STBDW42 , STBDW47 , BD333 , STTIP122 , STTIP31C , STTIP32C , STTIP42C , FJAF6806D , FJAF6808D , FJAF6810 , FJAF6810D .

History: HA7599 | 2SD1739 | KRA322 | KT6113V | 2SD1756 | KF423 | BF841

 

 
Back to Top

 


 
.