STH1061 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH1061  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для STH1061

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STH1061 даташит

 ..1. Size:437K  semtech
 sth1061.pdf pdf_icon

STH1061

ST H1061 NPN Plastic Power Transistor Low frequency power amplifier TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 50 V Collector Base Voltage VCBO 50 V Emitter Base Voltage VEBO 4 V Collector Current IC 3 A Power Dissipation Ptot 25 W O Junction Temperature Tj 150 C O Storage Temperature Range TS -45

 9.1. Size:337K  st
 stw10nc60 sth10nc60fi.pdf pdf_icon

STH1061

STW10NC60 STH10NC60FI N-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW10NC60 600 V

 9.2. Size:243K  st
 sth10n.pdf pdf_icon

STH1061

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STH10NA50 500 V

 9.3. Size:386K  st
 sth10na50.pdf pdf_icon

STH1061

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH10NA50 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: STBD139T, STBD140T, STBD909, STBD910, STBD911, STBD912, STBDW42, STBDW47, BD333, STTIP122, STTIP31C, STTIP32C, STTIP42C, FJAF6806D, FJAF6808D, FJAF6810, FJAF6810D