Биполярный транзистор STH1061 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: STH1061
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO220
Аналог (замена) для STH1061
STH1061 Datasheet (PDF)
sth1061.pdf
ST H1061 NPN Plastic Power Transistor Low frequency power amplifier TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Emitter Voltage VCEO 50 V Collector Base Voltage VCBO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 4 VCollector Current IC 3 APower Dissipation Ptot 25 WOJunction Temperature Tj 150 C OStorage Temperature Range TS -45
stw10nc60 sth10nc60fi.pdf
STW10NC60STH10NC60FIN-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218PowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW10NC60 600 V
sth10n.pdf
STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTH10NA50 500 V
sth10na50.pdf
STH10NA50/FISTW10NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH10NA50 500 V
Другие транзисторы... STBD139T , STBD140T , STBD909 , STBD910 , STBD911 , STBD912 , STBDW42 , STBDW47 , BD777 , STTIP122 , STTIP31C , STTIP32C , STTIP42C , FJAF6806D , FJAF6808D , FJAF6810 , FJAF6810D .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor