STTIP32C datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: STTIP32C 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO220
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для STTIP32C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
STTIP32C даташит
sttip32c.pdf
ST TIP32C PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for power switching and amplifier applications TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 100 V Collector Base Voltage -VCBO 100 V Collector Emitter Voltage -VCEO 5 V Emitter Base Voltage -VEBO 3 A Collector Current -IC 5 A Collector Current (Pulse) -ICP 1 A Base Current -
sttip31c.pdf
ST TIP31C NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for power switching and amplifier applications TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 100 V Collector Emitter Voltage VCEO 100 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 3 A Collector Current (Pulse) ICP 5 A Base Current IB 1 A O Power Diss
sttip42c.pdf
ST TIP42C PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for power switching and amplifier applications TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 100 V Collector Base Voltage -VCBO 100 V Collector Emitter Voltage -VCEO 5 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 A Collector Current -IC 10 A Collector Current (Pulse) -ICP 2 A Base Current
sttip122.pdf
ST TIP122 NPN Silicon Power Darlington Transistor for power switching and amplifier applications TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 100 V Collector Base Voltage VCBO 100 V Collector Emitter Voltage VCEO 5 V Emitter Base Voltage VEBO 5 A Collector Current IC 8 A Collector Current (Pulse) ICP 0.12 A Base Current IB
Другие транзисторы: STBD910, STBD911, STBD912, STBDW42, STBDW47, STH1061, STTIP122, STTIP31C, BC547, STTIP42C, FJAF6806D, FJAF6808D, FJAF6810, FJAF6810D, FJAF6812, FJAF6815, FJAF6820
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055




