Справочник транзисторов. L2SB1197KQLT1G

 

Биполярный транзистор L2SB1197KQLT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: L2SB1197KQLT1G
   Маркировка: AHQ
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для L2SB1197KQLT1G

 

 

L2SB1197KQLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  lrc
l2sb1197kqlt1g.pdf

L2SB1197KQLT1G
L2SB1197KQLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Low Frequency TransistorL2SB1197KQLT1G SeriesS-L2SB1197KQLT1G SeriesPNP SiliconFEATURE High current capacity in compact package.3IC = -0.8A. Epitaxial planar type.1 NPN complement: L2SD1781K We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.2 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site

 5.1. Size:117K  lrc
l2sb1197krlt1g.pdf

L2SB1197KQLT1G
L2SB1197KQLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Low Frequency TransistorL2SB1197KQLT1G SeriesS-L2SB1197KQLT1G SeriesPNP SiliconFEATURE High current capacity in compact package.3IC = -0.8A. Epitaxial planar type. NPN complement: L2SD1781K1 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.2 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top