LBC807-40WT1G - описание и поиск аналогов

 

LBC807-40WT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LBC807-40WT1G

Маркировка: YL

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SC70

 Аналоги (замена) для LBC807-40WT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBC807-40WT1G даташит

 ..1. Size:107K  lrc
lbc807-40wt1g.pdfpdf_icon

LBC807-40WT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. LBC807-40WT1G DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION S-LBC807-40WT1G Device Marking Package Shipping LBC807-40WT1G YL SOT-323 3000/Tape&Reel S-

 ..2. Size:310K  lrc
lbc807-40wt1g lbc807-40wt3g.pdfpdf_icon

LBC807-40WT1G

LBC807-40WT1G S-LBC807-40WT1G PNP Silicon General Purpose Transistors 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC70(SOT-323) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Devic

 5.1. Size:170K  lrc
lbc807-40dmt1g.pdfpdf_icon

LBC807-40WT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LBC807-16DMT1G LBC807-25DMT1G Dual General Purpose Transistors LBC807-40DMT1G PNP Duals S-LBC807-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LBC807-25 DMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site S-LBC807-40DMT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capab

 5.2. Size:138K  lrc
lbc807-16lt1g lbc807-25lt1g lbc807-40lt1g.pdfpdf_icon

LBC807-40WT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LBC807-16LT1G FEATURE LBC807-25LT1G LBC807-40LT1G Collector current capability IC = -500 mA. Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. General purpose switching and amplification. 3 PNP complement LBC807 Series. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 2 DEVICE MARKIN

Другие транзисторы: L9015QLT1G, L9015RLT1G, L9015SLT1G, LBC807-16LT1G, LBC807-16WT1G, LBC807-25LT1G, LBC807-25WT1G, LBC807-40LT1G, 2N3055, LBC817-16LT1G, LBC817-16WT1G, LBC817-25DPMT1G, LBC817-25LT1G, LBC817-25WT1G, LBC817-40LT1G, LBC817-40WT1G, LBC846ALT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.