LBC850BWT1G - описание и поиск аналогов

 

LBC850BWT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LBC850BWT1G

Маркировка: 2F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SC70

 Аналоги (замена) для LBC850BWT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBC850BWT1G даташит

 ..1. Size:278K  lrc
lbc850bwt1g.pdfpdf_icon

LBC850BWT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBC846AWT1G Moisture Sensitivity Level 1 Series ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO Vdc SOT 323 /SC 70

 7.1. Size:402K  lrc
lbc850blt1g.pdfpdf_icon

LBC850BWT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V S-LBC846ALT1G ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Cha

 7.2. Size:402K  lrc
lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g lbc848blt1g.pdfpdf_icon

LBC850BWT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 3 and Control C

 7.3. Size:404K  lrc
lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g.pdfpdf_icon

LBC850BWT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Chang

Другие транзисторы: LBC848BLT1G, LBC848BPDW1T1G, LBC848BWT1G, LBC848CDW1T1G, LBC848CLT1G, LBC848CPDW1T1G, LBC848CWT1G, LBC850BLT1G, 2SA1837, LBC850CLT1G, LX8050QLT1G, LBSS4240LT1G, LBSS5240LT1G, LH8050QLT1G, LH8550QLT1G, LMBTH10LT1G, LMBTH10QLT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.