Справочник транзисторов. LH8050QLT1G

 

Биполярный транзистор LH8050QLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LH8050QLT1G
   Маркировка: KEY
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для LH8050QLT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LH8050QLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  lrc
 lh8050qlt1g.pdf pdf_icon

LH8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE Series High current capacity in compact package.IC =1.5A.3 Epitaxial planar type. NPN complement: LH8050 Pb-Free Package is available.1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 ..2. Size:211K  lrc
 lh8050plt1g lh8050plt3g lh8050qlt1g lh8050qlt3g.pdf pdf_icon

LH8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE Series High current capacity in compact package.IC =1.5A.3 Epitaxial planar type. NPN complement: LH8050 Pb-Free Package is available.1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 ..3. Size:211K  lrc
 lh8050plt1g lh8050qlt1g.pdf pdf_icon

LH8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE Series High current capacity in compact package.IC =1.5A.3 Epitaxial planar type. NPN complement: LH8050 Pb-Free Package is available.1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 8.1. Size:237K  lrc
 lh8050plt1g.pdf pdf_icon

LH8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8050PLT1GSeriesNPN SiliconS-LH8050PLT1GFEATURE High current capacity in compact package.SeriesIC =1.5A. Epitaxial planar type. NPN complement: LH80503 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... LBC848CPDW1T1G , LBC848CWT1G , LBC850BLT1G , LBC850BWT1G , LBC850CLT1G , LX8050QLT1G , LBSS4240LT1G , LBSS5240LT1G , 9014 , LH8550QLT1G , LMBTH10LT1G , LMBTH10QLT1G , LMBTH10WT1G , LBC856ALT1G , LBC856BDW1T1G , LBC856BLT1G , LBC856BWT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.