LH8050QLT1G - описание и поиск аналогов

 

LH8050QLT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LH8050QLT1G

Маркировка: KEY

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LH8050QLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LH8050QLT1G даташит

 ..1. Size:211K  lrc
 lh8050qlt1g.pdf pdf_icon

LH8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 ..2. Size:211K  lrc
 lh8050plt1g lh8050plt3g lh8050qlt1g lh8050qlt3g.pdf pdf_icon

LH8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 ..3. Size:211K  lrc
 lh8050plt1g lh8050qlt1g.pdf pdf_icon

LH8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 2 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 8.1. Size:237K  lrc
 lh8050plt1g.pdf pdf_icon

LH8050QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8050PLT1G Series NPN Silicon S-LH8050PLT1G FEATURE High current capacity in compact package. Series IC =1.5A. Epitaxial planar type. NPN complement LH8050 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and 1 Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LBC848CPDW1T1G, LBC848CWT1G, LBC850BLT1G, LBC850BWT1G, LBC850CLT1G, LX8050QLT1G, LBSS4240LT1G, LBSS5240LT1G, BC558, LH8550QLT1G, LMBTH10LT1G, LMBTH10QLT1G, LMBTH10WT1G, LBC856ALT1G, LBC856BDW1T1G, LBC856BLT1G, LBC856BWT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.