LMBT5541DW1T1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LMBT5541DW1T1G
Маркировка: GL
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: SC88
Аналоги (замена) для LMBT5541DW1T1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBT5541DW1T1G даташит
lmbt5541dw1t1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR LMBT5541DW1T1G S-LMBT5541DW1T1G FEATURE We declare that the material of product is ROHS compliant and halogen free. 6 5 4 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIO
lmbt5541dw1t1g lmbt5541dw1t3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR LMBT5541DW1T1G S-LMBT5541DW1T1G FEATURE We declare that the material of product is ROHS compliant and halogen free. 6 5 4 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIO
lmbt5551dw1t1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR LMBT5551DW1T1G FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT5551DW1T1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 6 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 5 4 De
lmbt5550lt1g lmbt5551lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT5550LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBT5551LT1G Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and S-LMBT5550LT1G PPAP Capable. S-LMBT5551LT1G DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 3
Другие транзисторы: LMBTA64LT1G, LMBTA92LT1G, LMBTA94LT1G, LMBT2506QLT1G, LMBT2516QLT1G, LMBT5087LT1G, LMBT5401DW1T1G, LMBT5401LT1G, TIP32C, LMBT5551DW1T1G, LMBT5551LT1G, LMBT6427LT1G, LMBT6428LT1G, LMBT6517LT1G, LMBT6520LT1G, LMBT918LT1G, LMBT2222ADW1T1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b








