Справочник транзисторов. LMBT918LT1G

 

Биполярный транзистор LMBT918LT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: LMBT918LT1G
   Маркировка: M3B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LMBT918LT1G

 

 

LMBT918LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  lrc
lmbt918lt1g.pdf

LMBT918LT1G
LMBT918LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF / UFH TransistorNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.LMBT918LT1GS-LMBT918LT1GOrdering InformationDevice Marking ShippingLMBT918LT1G3000/Tape&ReelM3BS-LMBT918LT1G3LMBT918LT3GM3B 10000/Tape&ReelS-LMBT918LT3G12MAXIMUM RATINGSCASE 31808, STYLE 6Rating Symbol Value UnitSOT

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N865A

 

 
Back to Top