Биполярный транзистор LMBT918LT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LMBT918LT1G
Маркировка: M3B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBT918LT1G
LMBT918LT1G Datasheet (PDF)
lmbt918lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF / UFH TransistorNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.LMBT918LT1GS-LMBT918LT1GOrdering InformationDevice Marking ShippingLMBT918LT1G3000/Tape&ReelM3BS-LMBT918LT1G3LMBT918LT3GM3B 10000/Tape&ReelS-LMBT918LT3G12MAXIMUM RATINGSCASE 31808, STYLE 6Rating Symbol Value UnitSOT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N865A
History: 2N865A
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050