LMBT918LT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LMBT918LT1G
Маркировка: M3B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBT918LT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBT918LT1G даташит
lmbt918lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. VHF / UFH Transistor NPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT918LT1G S-LMBT918LT1G Ordering Information Device Marking Shipping LMBT918LT1G 3000/Tape&Reel M3B S-LMBT918LT1G 3 LMBT918LT3G M3B 10000/Tape&Reel S-LMBT918LT3G 1 2 MAXIMUM RATINGS CASE 318 08, STYLE 6 Rating Symbol Value Unit SOT
Другие транзисторы: LMBT5401LT1G, LMBT5541DW1T1G, LMBT5551DW1T1G, LMBT5551LT1G, LMBT6427LT1G, LMBT6428LT1G, LMBT6517LT1G, LMBT6520LT1G, D667, LMBT2222ADW1T1G, LMBT2222ALT1G, LMBT2222ATT1G, LMBT2222AWT1G, LMBT2907ADW1T1G, LMBT2907ALT1G, LMBT2907AWT1G, LMBT3904DW1T1G
History: LBC848BLT1G | LBC847CWT1G | 2SB1022 | 2SB986U | DTA210 | LBC848BDW1T1G | 9022
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302

