LMBT918LT1G - описание и поиск аналогов

 

LMBT918LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMBT918LT1G

Маркировка: M3B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LMBT918LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT918LT1G даташит

 ..1. Size:75K  lrc
lmbt918lt1g.pdfpdf_icon

LMBT918LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. VHF / UFH Transistor NPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT918LT1G S-LMBT918LT1G Ordering Information Device Marking Shipping LMBT918LT1G 3000/Tape&Reel M3B S-LMBT918LT1G 3 LMBT918LT3G M3B 10000/Tape&Reel S-LMBT918LT3G 1 2 MAXIMUM RATINGS CASE 318 08, STYLE 6 Rating Symbol Value Unit SOT

Другие транзисторы: LMBT5401LT1G, LMBT5541DW1T1G, LMBT5551DW1T1G, LMBT5551LT1G, LMBT6427LT1G, LMBT6428LT1G, LMBT6517LT1G, LMBT6520LT1G, D667, LMBT2222ADW1T1G, LMBT2222ALT1G, LMBT2222ATT1G, LMBT2222AWT1G, LMBT2907ADW1T1G, LMBT2907ALT1G, LMBT2907AWT1G, LMBT3904DW1T1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.