LMBT2222ADW1T1G - описание и поиск аналогов

 

LMBT2222ADW1T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMBT2222ADW1T1G

Маркировка: XX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC88

 Аналоги (замена) для LMBT2222ADW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT2222ADW1T1G даташит

 0.1. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors NPN Silicon LMBT2222ADW1T1G S-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 6 5 Unique Site and Control Change Requirements; 4 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit SC-

 0.2. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g lmbt2222adw1t3g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors NPN Silicon LMBT2222ADW1T1G S-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 6 5 Unique Site and Control Change Requirements; 4 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit SC-

 5.1. Size:631K  lrc
lmbt2222alt1g lmbt2222alt3g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T1G

LMBT2222ALT1G S-LMBT2222ALT1G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Dev

 5.2. Size:62K  lrc
lmbt2222awt1g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are LMBT2222AWT1G housed in the SOT 323/SC 70 package which S-LMBT2222AWT1G is designed for low power surface mount applications. We declare that the material of product 3 compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive a

Другие транзисторы: LMBT5541DW1T1G, LMBT5551DW1T1G, LMBT5551LT1G, LMBT6427LT1G, LMBT6428LT1G, LMBT6517LT1G, LMBT6520LT1G, LMBT918LT1G, BD333, LMBT2222ALT1G, LMBT2222ATT1G, LMBT2222AWT1G, LMBT2907ADW1T1G, LMBT2907ALT1G, LMBT2907AWT1G, LMBT3904DW1T1G, LMBT3904LT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.