Справочник транзисторов. LMBT2222ADW1T1G

 

Биполярный транзистор LMBT2222ADW1T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMBT2222ADW1T1G
   Маркировка: XX
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC88
 

 Аналог (замена) для LMBT2222ADW1T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT2222ADW1T1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN SiliconLMBT2222ADW1T1GS-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring65 Unique Site and Control Change Requirements;4AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitSC-

 0.2. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g lmbt2222adw1t3g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN SiliconLMBT2222ADW1T1GS-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring65 Unique Site and Control Change Requirements;4AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitSC-

 5.1. Size:631K  lrc
lmbt2222alt1g lmbt2222alt3g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T1G

LMBT2222ALT1GS-LMBT2222ALT1GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable.2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDev

 5.2. Size:62K  lrc
lmbt2222awt1g.pdfpdf_icon

LMBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconThese transistors are designed for generalpurpose amplifier applications. They are LMBT2222AWT1Ghoused in the SOT323/SC70 package whichS-LMBT2222AWT1Gis designed for low power surface mountapplications.We declare that the material of product 3compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive a

Другие транзисторы... LMBT5541DW1T1G , LMBT5551DW1T1G , LMBT5551LT1G , LMBT6427LT1G , LMBT6428LT1G , LMBT6517LT1G , LMBT6520LT1G , LMBT918LT1G , BD777 , LMBT2222ALT1G , LMBT2222ATT1G , LMBT2222AWT1G , LMBT2907ADW1T1G , LMBT2907ALT1G , LMBT2907AWT1G , LMBT3904DW1T1G , LMBT3904LT1G .

History: BU941A | 2SC842 | NB211YI | FA1L3M | BU137 | 2SD950 | 3DD4520A3

 

 
Back to Top

 


 
.