LMBT2907ADW1T1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LMBT2907ADW1T1G
Маркировка: 2F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SC88
Аналоги (замена) для LMBT2907ADW1T1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBT2907ADW1T1G даташит
lmbt2907adw1t1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LMBT2907DW1T1G Dual General Purpose LMBT2907ADW1T1G S-LMBT2907DW1T1G Transistor S-LMBT2907ADW1T1G Featrues We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 6 5 4 and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. MAXIMUM RATINGS Value 1
lmbt2907lt1g lmbt2907alt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistor PNP Silicon LMBT2907LT1G LMBT2907ALT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT2907LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT2907ALT1G 3 ORDERING INFORMATION 1 Device Marki
lmbt2907awt1g lmbt2907awt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistor PNP Silicon FEATURE LMBT2907AWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT2907AWT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 ORDERING INFORMATION 1 Device Marking Shipping r 2 LMBT2907A
lmbt2907alt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LMBT2907ALT1G FEATURES S-LMBT2907ALT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 3 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERI
Другие транзисторы: LMBT6428LT1G, LMBT6517LT1G, LMBT6520LT1G, LMBT918LT1G, LMBT2222ADW1T1G, LMBT2222ALT1G, LMBT2222ATT1G, LMBT2222AWT1G, 2SC5200, LMBT2907ALT1G, LMBT2907AWT1G, LMBT3904DW1T1G, LMBT3904LT1G, LMBT3904N3T5G, LMBT3904TT1G, LMBT3904WT1G, LMBT3906DW1T1G
History: EN3502 | BTN2369A3 | H772
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor






