LMBT2907ALT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LMBT2907ALT1G
Маркировка: 2F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBT2907ALT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBT2907ALT1G даташит
lmbt2907lt1g lmbt2907alt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistor PNP Silicon LMBT2907LT1G LMBT2907ALT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT2907LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT2907ALT1G 3 ORDERING INFORMATION 1 Device Marki
lmbt2907alt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LMBT2907ALT1G FEATURES S-LMBT2907ALT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. 3 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERI
lmbt2907lt1g lmbt2907lt3g lmbt2907alt1g lmbt2907alt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistor PNP Silicon LMBT2907LT1G LMBT2907ALT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT2907LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT2907ALT1G 3 ORDERING INFORMATION 1 Device Marki
lmbt2907awt1g lmbt2907awt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistor PNP Silicon FEATURE LMBT2907AWT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT2907AWT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 ORDERING INFORMATION 1 Device Marking Shipping r 2 LMBT2907A
Другие транзисторы: LMBT6517LT1G, LMBT6520LT1G, LMBT918LT1G, LMBT2222ADW1T1G, LMBT2222ALT1G, LMBT2222ATT1G, LMBT2222AWT1G, LMBT2907ADW1T1G, TIP41C, LMBT2907AWT1G, LMBT3904DW1T1G, LMBT3904LT1G, LMBT3904N3T5G, LMBT3904TT1G, LMBT3904WT1G, LMBT3906DW1T1G, LMBT3906LT1G
History: 2SB1118
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet






