Справочник транзисторов. LNST3906F3T5G

 

Биполярный транзистор LNST3906F3T5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LNST3906F3T5G
   Маркировка: 3
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.29 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT1123
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

LNST3906F3T5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  lrc
 lnst3906f3t5g.pdf pdf_icon

LNST3906F3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.PNP General PurposeTransistorLNST3906F3T5GS-LNST3906F3T5GTheLNST3906F3T5G device is a spin-off of our popularSOT-23/SOT-323/SOT-563/SOT-963 three-leaded device. It isdesigned for general purpose amplifier applications and is housed inCOLLECTORthe SOT-1123 surface mount package. This device is ideal for3low-power surface mount applications where bo

 7.1. Size:196K  lrc
 lnst3904f3t5g.pdf pdf_icon

LNST3906F3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.NPN General PurposeTransistorLNST3904F3T5GThe LNST3904F3T5G device is a spin-off of our popularS-LNST3904F3T5GSOT-23/SOT-323/SOT-563/SOT-963 three-leaded device. It isdesigned for general purpose amplifier applications and is housed inthe SOT-1123 surface mount package. This device is ideal forCOLLECTORlow-power surface mount applications where boar

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 40391 | LMUN5236DW1T1G | LMUN5212T1G | M54522WP | LMBTA92LT1G

 

 
Back to Top

 


 
.