LNST3906F3T5G - описание и поиск аналогов

 

LNST3906F3T5G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: LNST3906F3T5G
   Маркировка: 3
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.29 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT1123

 Аналоги (замена) для LNST3906F3T5G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LNST3906F3T5G - технические параметры

 ..1. Size:387K  lrc
 lnst3906f3t5g.pdf pdf_icon

LNST3906F3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. PNP General Purpose Transistor LNST3906F3T5G S-LNST3906F3T5G TheLNST3906F3T5G device is a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323/SOT-563/SOT-963 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in COLLECTOR the SOT-1123 surface mount package. This device is ideal for 3 low-power surface mount applications where bo

 7.1. Size:196K  lrc
 lnst3904f3t5g.pdf pdf_icon

LNST3906F3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. NPN General Purpose Transistor LNST3904F3T5G The LNST3904F3T5G device is a spin-off of our popular S-LNST3904F3T5G SOT-23/SOT-323/SOT-563/SOT-963 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-1123 surface mount package. This device is ideal for COLLECTOR low-power surface mount applications where boar

Другие транзисторы... LMBT4401DW1T1G , LMBT4401LT1G , LMBT4401WT1G , LMBT4403DW1T1G , LMBT4403LT1G , LMBT4403WT1G , LMBT4413DW1T1G , LNST3904F3T5G , D882 , S8050LT1 , S8550LT1 , S9018LT1 , 2SC9013 , 2N2222AE , 2N2222AS , 2N2222AU , 2N2907AS .

 

 
Back to Top

 


 
.