DTC123 - описание и поиск аналогов

 

DTC123. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC123

Маркировка: A8J

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.246 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для DTC123

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC123 даташит

 ..1. Size:282K  first silicon
dtc101-dtc108 dtc110-dtc112 dtc114 dtc117 dtc123 dtc124.pdfpdf_icon

DTC123

DTC 101 108 SEMICONDUCTOR DTC 110 112 / 114 /117 TECHNICAL DATA DTC 123 / 124 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor 3 Transistor) contains a single transistor with a monolithic bi

 0.1. Size:54K  motorola
pdtc123jef 1.pdfpdf_icon

DTC123

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 0.2. Size:55K  motorola
pdtc123je 3.pdfpdf_icon

DTC123

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC123JE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage 3 3

 0.3. Size:56K  motorola
pdtc123jt 3.pdfpdf_icon

DTC123

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC123JT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design

Другие транзисторы: DTC110, DTC111, DTC112, DTC113Z, DTC114, DTC117, DTC118, DTC119, 2N2907, DTC124, DTC137, DTC301, DTC302, DTC303, DTC304, DTC305, DTC306

 

 

 

 

↑ Back to Top
.