FTA8550H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTA8550H  📄📄 

Маркировка: 1FD

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTA8550H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTA8550H даташит

 ..1. Size:284K  first silicon
 fta8550h.pdf pdf_icon

FTA8550H

SEMICONDUCTOR FTA8550H TECHNICAL DATA General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE 3 High current capacity in compact package. I C =-1.5A. 1 Epitaxial planar type. 2 PNP complement FTC8050H Pb-Free Package is available. SOT 23 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION COLLECTOR 3 Shipping Device Marking 1 FTA8550H 1FD 3000/Tape&Reel BASE 2 EM

Другие транзисторы: FTA1664, FTA1666, FTA1774, FTA1943, FTA708, FTA719, FTA720, FTA733B, TIP127, FTA916, FTA928A, FTB1116A, FTB1151, FTB1184, FTB1197K, FTB1260, FTB1261