Биполярный транзистор FTB1184 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FTB1184
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
Корпус транзистора: TO252 DPAK
FTB1184 Datasheet (PDF)
ftb1184.pdf
SEMICONDUCTORFTB1184TECHNICAL DATAFTB1184 TRANSISTOR (PNP) AICFEATURES JLow VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.2A) Complements the FTD1760 DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 1 50 0 2E 2 70 0 2Symbol Parameter Value Unit F 2 30 0 1HH 1 00 MAXVCBO Collector Bas
ftb1197k.pdf
SEMICONDUCTORFTB1197KTECHNICAL DATALow Frequency TransistorPNP SiliconFEATURE 3High current capacity in compact package.2IC = 0.8A.Epitaxial planar type. 1NPN complement: FTB1781K SOT 23 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Marking Shipping Device3 FTB1197KQLT1G AHQ 3000/Tape&Reel
ftb1116a.pdf
SEMICONDUCTORFTB1116ATECHNICAL DATAGe e u po e s oPNP Silicon B CFEATURES * High Collector Power Dissipation* Complementary NPN Type available (FTD1616A)DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.55 MAXMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) E 1.00Parameter Value Units F 1.27Symbol G 0.85H 0.45VCBO Collector-Base Voltage -80 V
ftb1151.pdf
SEMICONDUCTORFTB1151TECHNICAL DATADFTB1151 TRANSISTOR (PNP) EA CFEATURES F GDIM MILLIMETERSBA 8.3 MAX Low Collector-Emitter Saturation Voltage B 11.30.3C 4.15 TYP1 2 3 Large Collector Current D 3.20.2E 2.00.2 High Power Dissipation H F 2.80.1IG 3.20.1 Complement to FTD1691 H 1.270.1KI 1.400.115.50.2KL 0.760.1M 2.28 TYP
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050