Биполярный транзистор FTC2316
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FTC2316
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора:
TO92L
Аналоги (замена) для FTC2316
FTC2316
Datasheet (PDF)
..1. Size:68K first silicon
ftc2316.pdf 
SEMICONDUCTORFTC2316TECHNICAL DATA FTC2316 TRANSISTOR (NPN) BFEATURES Driver Stage Amplifier Complement to FTA916EDIM MILLIMETERSA 8.2 MAXDB 5.1 MAXMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) C 1.58 MAXD 0.55 MAXE 0.7 TYPSymbol Parameter Value Unit F 1.27 TYPG 2.54 TYPFH 14.20 MAX VCBO Collector-Base Voltage 120 V GJ 0.45 MAX L 4.10 MAX
9.1. Size:115K first silicon
ftc2328a.pdf 
SEMICONDUCTORFTC2328ATECHNICAL DATA FEATURES B Audio power amplifier Complementary to FTA928A EDIM MILLIMETERSA 8.2 MAXDB 5.1 MAXC 1.58 MAXD 0.55 MAXMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) E 0.7 TYPF 1.27 TYPSymbol Parameter Value Units G 2.54 TYPFH 14.20 MAX GJ 0.45 MAX VCBO Collector-Base Voltage 30 V L 4.10 MAX VCEO Collector-Emitter Volt
9.2. Size:234K first silicon
ftc2383.pdf 
SEMICONDUCTOR FTC2383TECHNICAL DATA BFTC2383 TRANSISTOR (NPN) EColor TV Audio Output & Color TV Vertical Deflection OutputDIM MILLIMETERSA 8.2 MAXDB 5.1 MAXC 1.58 MAXD 0.55 MAXE 0.7 TYP FEATUREF 1.27 TYPG 2.54 TYPF High Voltage: VCEO=160V H 14.20 MAX GJ 0.45 MAX L 4.10 MAX Large Continuous Collector Current Capability Complementary to FTA1013 C
9.3. Size:102K first silicon
ftc2330.pdf 
SEMICONDUCTORFTC2330TECHNICAL DATABFTC2330 TRANSISTOR (NPN) EDIM MILLIMETERSA 8.2 MAXDB 5.1 MAXFEATURES C 1.58 MAXD 0.55 MAXE 0.7 TYP High Collector-Emitter Breakdown Voltage F 1.27 TYPG 2.54 TYP Low Transition Frequency FH 14.20 MAX GJ 0.45 MAX L 4.10 MAX C1. EMITTER L1 2 32. COLLECTOR 3. BASE TO-92LMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless ot
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
