FTC2412K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTC2412K  📄📄 

Маркировка: BR_G1F_BQ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTC2412K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTC2412K даташит

 ..1. Size:284K  first silicon
 ftc2412k.pdf pdf_icon

FTC2412K

 8.1. Size:62K  first silicon
 ftc2411k.pdf pdf_icon

FTC2412K

SEMICONDUCTOR FTC2411K TECHNICAL DATA Medium Power Transistor NPN silicon FEATURE Epitaxial planar type 3 Complementary to FTA1036K 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION SOT 23 (TO 236AB) Device Marking Shipping FTC2411K-Q CQ 3000/Tape&Reel FTC2411K-R CR 3000/Tape&Reel 3 COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) BASE Parameter Symbol Limits Unit 2 Collector-base

Другие транзисторы: FTC1318, FTC1675, FTC1815, FTC2316, FTC2328A, FTC2330, FTC2383, FTC2411K, BD140, FTC2655, FTC2688, FTC2690, FTC2690A, FTC2878, FTC2983, FTC3198, FTC3199