FTC4375 - описание и поиск аналогов

 

FTC4375. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTC4375

Маркировка: GO_GY

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для FTC4375

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTC4375 даташит

 ..1. Size:86K  first silicon
ftc4375.pdfpdf_icon

FTC4375

SEMICONDUCTOR FTC4375 TECHNICAL DATA FEATURES A C SOT-89 NPN Transistor H G MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) D D K Symbol Parameter Value Units F F DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX VCBO Collector-Base Voltage 30 V _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 VEBO Emitter-Base Voltage 5 V

 8.1. Size:81K  first silicon
ftc4374.pdfpdf_icon

FTC4375

SEMICONDUCTOR FTC4374 TECHNICAL DATA FEATURES Complementary to FTA1662 A C H G MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) D Symbol Parameter Value Units D K VCBO Collector-Base Voltage 80 V F F DIM MILLIMETERS VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX VEBO Emitter-Base Voltage 5 V 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 E 4.25 MAX IC Collecto

 8.2. Size:165K  first silicon
ftc4378.pdfpdf_icon

FTC4375

SEMICONDUCTOR FTC4378 TECHNICAL DATA A C H G FTC4378 TRANSISTOR (NPN) FEATURES D D K High voltage F F DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 Symbol Parameter Value Unit G 0.40 TYP 1. BASE H 1.7 MAX 2. COLLECTOR J 0.7 MIN VCBO Collector-Base Volt

 8.3. Size:370K  first silicon
ftc4377.pdfpdf_icon

FTC4375

SEMICONDUCTOR FTC4377 TECHNICAL DATA FTC4377 TRANSISTOR (NPN) A C H G FEATURES Low voltage Low Vce(sat) 0.5V Max (Ic=2A, IB=0.05A) D D K F F DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 Symbol Parameter Value Unit E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 VCBO Collector-Base Voltage 30 V G 0.40

Другие транзисторы... FTC3876 , FTC3880 , FTC4081 , FTC4083 , FTC4226 , FTC4370A , FTC4373 , FTC4374 , B772 , FTC4376 , FTC4377 , FTC4378 , FTC4379 , FTC4617 , FTC8050 , FTC8050H , FTC9012S .

History: 2SAR573DFHG

 

 

 


 
↑ Back to Top
.