FTC945B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTC945B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTC945B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTC945B даташит

 ..1. Size:66K  first silicon
 ftc945b.pdf pdf_icon

FTC945B

SEMICONDUCTOR FTC945B TECHNICAL DATA NPN TRANSISTOR B C FEATURE Excellent hFE linearity DIM MILLIMETERS Low noise A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G Complementary to FTA733B C 3.70 MAX D D 0.55 MAX E 1.00 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) F 1.27 G 0.85 H 0.45 Symbol Parameter Value Units _ H J 14.00 + 0.50 L 2.30 F F VCBO Collector-Base Voltage 60 V

Другие транзисторы: FTC4377, FTC4378, FTC4379, FTC4617, FTC8050, FTC8050H, FTC9012S, FTC9013S, BC558, FTD1304, FTD1499, FTD1616A, FTD1624, FTD1760, FTD1781K, FTD1898, FTD1899