FTD1304 - описание и поиск аналогов

 

FTD1304. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTD1304

Маркировка: HMAX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FTD1304

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1304 даташит

 ..1. Size:270K  first silicon
 ftd1304.pdf pdf_icon

FTD1304

SEMICONDUCTOR FTD1304 TECHNICAL DATA FTD1304 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High emitter-base voltage 3 low on resistance 2 MARKING HMAX 1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) SOT 23 Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 25 V COLLECTOR 3 VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 12 V 1 IC Collector Current

Другие транзисторы: FTC4378, FTC4379, FTC4617, FTC8050, FTC8050H, FTC9012S, FTC9013S, FTC945B, 2SC2625, FTD1499, FTD1616A, FTD1624, FTD1760, FTD1781K, FTD1898, FTD1899, FTD2058

 

 

 

 

↑ Back to Top
.