Справочник транзисторов. FTD1898

 

Биполярный транзистор FTD1898 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTD1898
   Маркировка: DF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1898 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  first silicon
 ftd1898.pdf pdf_icon

FTD1898

SEMICONDUCTORFTD1898TECHNICAL DATAACHGFTD1898 TRANSISTOR (NPN) FEATURES DDK High Breakdown Voltage and Current F FDIM MILLIMETERS Excellent DC Current Gain Linearity A 4.70 MAX_+B 2.50 0.20 Complement the FTB1260 C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10 Low Collector-Emitter Saturation Voltage E 4.25 MAX_+F 1.50 0.10G 0.40 TYP1. BASEH 1.7 MA

 8.1. Size:299K  first silicon
 ftd1899.pdf pdf_icon

FTD1898

SEMICONDUCTORFTD1899TECHNICAL DATAFTD1899 TRANSISTOR (NPN) FEATURES AICJ Low VCE(sat) High Transition Frequency DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAXSymbol Parameter Value UnitI 2 30 0 2LF FVCBO Collector-Base Voltage 60 V J 0

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: TN4236 | ZTX614 | ECH8503-TL-H | 2SC889 | MPS2484 | BD120 | BF321

 

 
Back to Top

 


 
.