Биполярный транзистор 2N1230 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N1230
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 35 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 14
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам