2N1230 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1230
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 35 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 180 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 14
Paquete / Cubierta: TO5
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Otros transistores... 2N1223 , 2N1224 , 2N1225 , 2N1226 , 2N1227 , 2N1228 , 2N1229 , 2N123 , S9018 , 2N1231 , 2N1232 , 2N1232A , 2N1233 , 2N1234 , 2N1235 , 2N123-5 , 2N1238 .
History: 2G339 | 2SC5052
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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