Справочник транзисторов. 3DG3001A1-H

 

Биполярный транзистор 3DG3001A1-H - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG3001A1-H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG3001A1-H

 

 

3DG3001A1-H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  crhj
3dg3001a1-h.pdf

3DG3001A1-H
3DG3001A1-H

NPN R 3DG3001 A1-H 3DG3001 A1-H VCEO 450 V NPN IC 0.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

 7.1. Size:178K  crhj
3dg3001 a1-h.pdf

3DG3001A1-H
3DG3001A1-H

NPN R 3DG3001 A1-H 3DG3001 A1-H VCEO 450 V NPN IC 0.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

 9.1. Size:178K  crhj
3dg3020a1.pdf

3DG3001A1-H
3DG3001A1-H

NPN R 3DG3020 A1 3DG3020 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

 9.2. Size:111K  china
3dg3020.pdf

3DG3001A1-H

3DG3020 NPN A B C PCM TA=25 800 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 120 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.5 A ICEO VCE=20V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.5 A VBEsat 1.0 I

 9.3. Size:118K  china
3dg302.pdf

3DG3001A1-H

3DG302 NPN A B C PCM 800 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 120 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.5 A ICEO VCE=20V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.5 A VBEsat 1.0 IC=200mA

 9.4. Size:176K  wuxi china
3dg3020a1.pdf

3DG3001A1-H
3DG3001A1-H

NPN R 3DG3020 A1 3DG3020 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top