13003AD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 13003AD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 13003AD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

13003AD даташит

 ..1. Size:116K  jdsemi
 13003ad.pdf pdf_icon

13003AD

R 13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

 0.1. Size:136K  utc
 13003ada.pdf pdf_icon

13003AD

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003ADA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION DESCRIPTION The UTC 13003ADA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC s advanced technology to provide customers high collector-base breakdown voltage, low reverse leakage current and high reliability, etc. The UTC 1

 0.2. Size:116K  jdsemi
 h13003ad 2.pdf pdf_icon

13003AD

 0.3. Size:117K  jdsemi
 h13003adl.pdf pdf_icon

13003AD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: WPT2N32, WPT2N31, 13005, 13007, 13009, 13001-0, 13001-2, 13001-A, SS8050, 13003B, 13005A, 13005AD, 13005ADL, 13005D, 13005DL, 13005ED, 13005F