13007DL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 13007DL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 13007DL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

13007DL даташит

 ..1. Size:115K  jdsemi
 13007dl.pdf pdf_icon

13007DL

R 13007DL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballast etc 2 2 2

 8.1. Size:214K  st
 st13007d.pdf pdf_icon

13007DL

ST13007D HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR IMPROVED SPECIFICATION - LOWER LEAKAGE CURRENT - TIGHTER GAIN RANGE - DC CURRENT GAIN PRESELECTION - TIGHTER STORAGE TIME RANGE HIGH VOLTAGE CAPABILITY INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR 3 2 RELIABLE OPERATION 1 VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACT

 8.2. Size:228K  st
 stb13007dt4.pdf pdf_icon

13007DL

STB13007DT4 High voltage fast-switching NPN power transistor General features Improved specification Lower leakage current, Tighter gain range, DC current gain preselection, Tighter storage time range High voltage capability Integrated free-wheeling diode 3 Low spread of dynamic parameters 1 Minimum lot-to-lot spread for reliable operation D2PAK Very high

 8.3. Size:160K  st
 st13007dfp.pdf pdf_icon

13007DL

ST13007DFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR IMPROVED SPECIFICATION - LOWER LEAKAGE CURRENT - TIGHTER GAIN RANGE - DC CURRENT GAIN PRESELECTION - TIGHTER STORAGE TIME RANGE HIGH VOLTAGE CAPABILITY INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR 3 2 RELIABLE OPERATION 1 VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 13005ADL, 13005D, 13005DL, 13005ED, 13005F, 13005S, 13005SD, 13005SDL, D209L, 13007S, 13007T, 13009A, 13009SDL, 13009T, 3866S, 3866SF, B647