Биполярный транзистор BU102S
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BU102S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO92T
BU102S
Datasheet (PDF)
..1. Size:177K can-sheng
bu102s to-92.pdf ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate T
..2. Size:107K jdsemi
bu102s.pdf RBU102S www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampCharger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2
9.1. Size:223K can-sheng
bu102 to-92.pdf ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate T
9.2. Size:108K jdsemi
bu102.pdf RBU102 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22
9.3. Size:110K jdsemi
bu102d.pdf RBU102D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent Lamp and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 High vo
9.4. Size:203K inchange semiconductor
bu102.pdf isc Silicon NPN Power Transistor BU102UIDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 150V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.)@ I = 5ACE(sat) CWith TO-3 Package100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of
Другие транзисторы... 2SA1771
, 2SA178
, 2SA1790
, 2SA1791
, 2SA1792
, 2SA1793
, 2SA1794
, 2SA1795
, BC557
, 2SA1799
, 2SA17H
, 2SA18
, 2SA180
, 2SA1800
, 2SA1800O
, 2SA1800R
, 2SA1800Y
.