BU203DL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU203DL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BU203DL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU203DL даташит

 ..1. Size:111K  jdsemi
 bu203dl.pdf pdf_icon

BU203DL

R BU203DL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballast etc 2 2 2

Другие транзисторы: BU103AH, BU103BD, BU103BH, BU103DH, BU13003D, BU13003F, BU202ADL, BU202DL, TIP32C, BU206DL, BU3150AF, BU3150BF, BU3150F, BU3150F-A, BU3150T, BU5027A, BU5027AF